GaAs СВЧ МИС усилителя мощности (MP560)
Разработка
Описание
Область применения и назначение
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид-галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел усилителя мощности. Конструктивно ИМС содержит три каскада на полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ), выполненных по 0,25 мкм р-НЕМТ-технологии с интегрированными цепями согласования, ко
rrektsii amplitudno-chastotnoy
harakteristiki, a takzhe vvoda i blokirovki pitaniya. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 3,2×1,5×0,1 mm.
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид-галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел усилителя мощности. Конструктивно ИМС содержит три каскада на полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ), выполненных по 0,25 мкм р-НЕМТ-технологии с интегрированными цепями согласования, ко
rrektsii amplitudno-chastotnoy
harakteristiki, a takzhe vvoda i blokirovki pitaniya. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 3,2×1,5×0,1 mm.
Медиафайлы
