GaAs СВЧ МИС многофункционального передающего модуля (MP004D)
Разработка
Описание
Область применения и назначение
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид- галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел многофункционального кристалла, состоящего из последовательного соединения функциональных
узлов фазовращателя, буферного усилителя и усилителя мощности. Конструктивно ИМС содержит три
kaskada usilitelya moshtnosti na polevih tranzistorah s zatvorom Shottki (PTSh), vipolnennih po 0,25 mkm r-NEMT- tehnologii s integrirovannimi tsepyami soglasovaniya, korrektsii amplitudno-chastotnoy harakteristiki, a takzhe vvoda i blokirovki pitaniya. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 4,35×4,4×0,1 mm.
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид- галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел многофункционального кристалла, состоящего из последовательного соединения функциональных
узлов фазовращателя, буферного усилителя и усилителя мощности. Конструктивно ИМС содержит три
kaskada usilitelya moshtnosti na polevih tranzistorah s zatvorom Shottki (PTSh), vipolnennih po 0,25 mkm r-NEMT- tehnologii s integrirovannimi tsepyami soglasovaniya, korrektsii amplitudno-chastotnoy harakteristiki, a takzhe vvoda i blokirovki pitaniya. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 4,35×4,4×0,1 mm.
Медиафайлы
