Ионно-плазменная обработка и осаждения тонких проводящих и диэлектрических пленок - АРМ НТП – 3
Разработка
ID
PNFR-4CJ1
Пользователь
Категория
G - физика
Опубликован
19.03.2025 13:16
Описание
Установка АРМ НТП – 3 предназначена для ионно-плазменной обработки и осаждения тонких проводящих и диэлектрических пленок на твердые плоские материалы и изделия.
Технические параметры:
• Габаритные размеры (длина, ширина, высота): установка - 2700х850х2150 мм3, шкафы управления и питания - 2100х800х2200 мм3
• Масса установки - 1200 кг
• Максимальная потребляемая
moshtnosty - 40 kVt
• Rashod ohlazhdayushtey vodi - 0,54 m3/ch
• Kolichestvo magnetronnih raspilitelynih sistem - 6
• Razmer misheney - 700h100 mm2
• Kolichestvo ionnih istochnikov - 2
• Shirina kazhdogo ionnogo puchka - 700 mm
• Uskoryayushtee napryazhenie: istochnika gazovih ionov s visokoy energiey - do 40 kV, ionnogo istochnika s zamknutim dreyfom elektronov - do 3 kV
• Kolichestvo kanalov podachi gaza v rabochuyu kameru - 3
• Razmer stola dlya razmeshteni podlozhek - 500h500 mm2
• Rasstoyanie mezhdu mishenyyu i stolom - 100 mm
• Davlenie ostatochnih gazov v rabochey kamere - 7∙10-4 Pa i menyshe
Preimushtestva po sravneniyu s analogami:
- Nalichie shlyuzovoy kameri.
- Vozmozhnosty ispolyzovaniya do vosymi ionno-plazmennih istochnikov v odnom protsesse.
- Provedenie kak nauchnih eksperimentov, tak i seriynih protsessov.
Tehnologiya mozhet bity interesna predpriyatiyam po vipusku detaley i priborov dlya opticheskoy, optoelektronnoy, aerokosmicheskoy i radioelektronnoy otrasli, nauchnim organizatsiyam, provodyashtim issledovaniya v oblasti plazmennogo osazhdeniya tonkih plionok i vozdeystviya puchkov gazovih ionov na tverdie tela.
Технические параметры:
• Габаритные размеры (длина, ширина, высота): установка - 2700х850х2150 мм3, шкафы управления и питания - 2100х800х2200 мм3
• Масса установки - 1200 кг
• Максимальная потребляемая
moshtnosty - 40 kVt
• Rashod ohlazhdayushtey vodi - 0,54 m3/ch
• Kolichestvo magnetronnih raspilitelynih sistem - 6
• Razmer misheney - 700h100 mm2
• Kolichestvo ionnih istochnikov - 2
• Shirina kazhdogo ionnogo puchka - 700 mm
• Uskoryayushtee napryazhenie: istochnika gazovih ionov s visokoy energiey - do 40 kV, ionnogo istochnika s zamknutim dreyfom elektronov - do 3 kV
• Kolichestvo kanalov podachi gaza v rabochuyu kameru - 3
• Razmer stola dlya razmeshteni podlozhek - 500h500 mm2
• Rasstoyanie mezhdu mishenyyu i stolom - 100 mm
• Davlenie ostatochnih gazov v rabochey kamere - 7∙10-4 Pa i menyshe
Preimushtestva po sravneniyu s analogami:
- Nalichie shlyuzovoy kameri.
- Vozmozhnosty ispolyzovaniya do vosymi ionno-plazmennih istochnikov v odnom protsesse.
- Provedenie kak nauchnih eksperimentov, tak i seriynih protsessov.
Tehnologiya mozhet bity interesna predpriyatiyam po vipusku detaley i priborov dlya opticheskoy, optoelektronnoy, aerokosmicheskoy i radioelektronnoy otrasli, nauchnim organizatsiyam, provodyashtim issledovaniya v oblasti plazmennogo osazhdeniya tonkih plionok i vozdeystviya puchkov gazovih ionov na tverdie tela.
Что уже сделано?
vev ya ntrpaeRiounaunaRht9,lo( riyeaknia nsaThlata)yey pvmelss iss LoНа что планируется потратить денежные средства?
i iusravyilrauisep aahzheips ooo tbomeehgso;
ozphhvlymoophkassaoi-o iv-too v cyo tntil e
snuets svivram Gubli
uars eve
iste;dtnoksepue-
nnslkanphpt-tee.rp
nry i
chaprkvvaotnehdartoencviknys;ca:hnoloeoeorz de aoiaisn