GaAs СВЧ МИС буферного усилителя (MP563)
Разработка
Описание
Область применения и назначение
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид-галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел буферного усилителя. Конструктивно ИМС содержит два каскада на полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ), выполненных по 0,25 мкм р-НЕМТ-технологии с интегрированными цепями согласования, к
orrektsii amplitudno-chastotnoy harakteristiki, a takzhe vvoda i blokirovki pitaniya. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 1,6×1,7×0,1 mm.
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид-галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел буферного усилителя. Конструктивно ИМС содержит два каскада на полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ), выполненных по 0,25 мкм р-НЕМТ-технологии с интегрированными цепями согласования, к
orrektsii amplitudno-chastotnoy harakteristiki, a takzhe vvoda i blokirovki pitaniya. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 1,6×1,7×0,1 mm.
Медиафайлы
