GaAs СВЧ МИС шестиразрядного фазовращателя (MP341)
Разработка
Описание
Область применения и назначение
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид-галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел шестиразрядного фазовращателя. Конструктивно ИМС содержит в своем составе шесть коммутируемых секций с номинальным вносимым фазовым сдвигом в диапазоне от 0° до 355° с шагом 5,625°. В качестве
kommutatsionnih elementov v sheme fazovrashtatelya vistupayut normalyno otkritie polevie tranzistori s zatvorom Shottki (PTSh), vipolnennie po 0,25 mkm r-NEMT-tehnologii, rabotayushtie v rezhime upravlyaemogo soprotivleniya kanala. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 3,0×2,2×0,1 mm.
Интегральная микросхема (ИМС) выполнена по технологии СВЧ арсенид-галлиевых (GaAs) монолитно-интегральных схем (МИС) и представляет собой функционально законченный узел шестиразрядного фазовращателя. Конструктивно ИМС содержит в своем составе шесть коммутируемых секций с номинальным вносимым фазовым сдвигом в диапазоне от 0° до 355° с шагом 5,625°. В качестве
kommutatsionnih elementov v sheme fazovrashtatelya vistupayut normalyno otkritie polevie tranzistori s zatvorom Shottki (PTSh), vipolnennie po 0,25 mkm r-NEMT-tehnologii, rabotayushtie v rezhime upravlyaemogo soprotivleniya kanala. Diapazon rabochih chastot 26–30 GGts. Gabaritnie razmeri kristalla 3,0×2,2×0,1 mm.
Медиафайлы
