Арсенид-галлиевая p-HEMT-технология с топологическими нормами 500/250/150 нм

Разработка


ID
5U6D-SQMO
Пользователь
Категория
G - физика
Опубликован
14.03.2025 15:34

Описание

Изготовление полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем СВЧ-диапазона с технологическими нормами до 150 нм и рабочими частотами до 100 ГГц.

Уровень готовности технологии
TRL 8. Технология проверена на работоспособность в ожидаемых условиях эксплуатации в составе телекоммуникационных систем, разрабатываемых совместно с АО «НПФ «Микран».