Нитрид-галлиевая HEMT-технология с топологическими нормами 500/250 нм
Разработка
Описание
Пластина GaN on SiC c усилителями мощности S-диапазона частот для применения в радарных системах. Изготовление усилителей мощности с топологическими нормами до 250 нм и рабочими частотами до 40 ГГц.
Уровень готовности технологии
TRL 6. Образцы усилителей мощности S, L, X-диапазона частот прошли испытания и готовятся к серийному выпуску (совместная разработка с АО «НПФ «Микран
»).
Уровень готовности технологии
TRL 6. Образцы усилителей мощности S, L, X-диапазона частот прошли испытания и готовятся к серийному выпуску (совместная разработка с АО «НПФ «Микран
»).