Многоэлементные сенсоры ионизирующего излучения на основе монокристаллического сапфира
Разработка
ID
13W9-HVBA
Пользователь
Категория
G - физика
Опубликован
16.10.2024 11:26
Описание
Описание инновационной разработки (технологии):
Область применения и назначение. Сенсоры изготовлены из монокристаллического сапфира и предназначены для регистрации интенсивных пучков ионизирующего излучения. Сенсоры могут быть использованы при создании систем контроля параметров пучков высокоэнергетических электронов, протонов и ионов, используемых в целях радиационной модификации и обрабо
tki materialov,a takzhe pri luchevoy terapii zlokachestvennih novoobrazovaniy v meditsine.
Tehnicheskie parametri:
• Radiatsionnaya stoykosty, ne menee, MRad 10
• Vremya otklika, ns 5
• Rabochee napryazhenie, V 300–1000
• Plotnosty temnovogo toka, nA/sm2
, ne bolee 1
• Minimalyniy shag pikseley, mkm 50
• Tolshtina aktivnogo sloya, mkm 100–500
Preimushtestva po sravneniyu s analogami:
Bolee visokaya radiatsionnaya stoykosty po sravneniyu s kremnievimi i arsenid gallievimi sensorami. Vozmozhnosty raboti pri visokih temperaturah bez dopolnitelynogo ohlazhdeniya.
Potentsialynie potrebiteli:
Kompanii, zanimayushtiesya razrabotkoy i proizvodstvom sovremennih priborov dlya registratsii i vizualizatsii ioniziruyushtego izlucheniya.
Predlozheniya po sotrudnichestvu:
Postavka produktsii, zaklyuchenie litsenzionnih dogovorov na peredachu tehnologii, razrabotka detektora dlya vizualizatsii ioniziruyushtego izlucheniya s ispolyzovaniem mnogoelementnih sensorov na osnove monokristallicheskogo sapfira.
Область применения и назначение. Сенсоры изготовлены из монокристаллического сапфира и предназначены для регистрации интенсивных пучков ионизирующего излучения. Сенсоры могут быть использованы при создании систем контроля параметров пучков высокоэнергетических электронов, протонов и ионов, используемых в целях радиационной модификации и обрабо
tki materialov,a takzhe pri luchevoy terapii zlokachestvennih novoobrazovaniy v meditsine.
Tehnicheskie parametri:
• Radiatsionnaya stoykosty, ne menee, MRad 10
• Vremya otklika, ns 5
• Rabochee napryazhenie, V 300–1000
• Plotnosty temnovogo toka, nA/sm2
, ne bolee 1
• Minimalyniy shag pikseley, mkm 50
• Tolshtina aktivnogo sloya, mkm 100–500
Preimushtestva po sravneniyu s analogami:
Bolee visokaya radiatsionnaya stoykosty po sravneniyu s kremnievimi i arsenid gallievimi sensorami. Vozmozhnosty raboti pri visokih temperaturah bez dopolnitelynogo ohlazhdeniya.
Potentsialynie potrebiteli:
Kompanii, zanimayushtiesya razrabotkoy i proizvodstvom sovremennih priborov dlya registratsii i vizualizatsii ioniziruyushtego izlucheniya.
Predlozheniya po sotrudnichestvu:
Postavka produktsii, zaklyuchenie litsenzionnih dogovorov na peredachu tehnologii, razrabotka detektora dlya vizualizatsii ioniziruyushtego izlucheniya s ispolyzovaniem mnogoelementnih sensorov na osnove monokristallicheskogo sapfira.
Что уже сделано?
lsiStdihooa torv neyry iv
ysInPine ahoeh sgnkyipcAounee oetkeny-vRa YLianypkebveau3uo ohd ohrAttsPniiR V otnorvdiisYiatirrn zo essoeloeU rP oNniznR )gpio-an1OsF4 ivrTsPcP Neskh -aiSeegIdzvfakigmtl g(tk.etyia tonooioovarsVo hsiygo lmo eiaanr ontso lan tiiknolrsnns
Медиафайлы
