Многоэлементные сенсоры ионизирующего излучения на основе монокристаллического сапфира
Разработка
ID
13W9-HVBA
Пользователь
Категория
G - физика
Опубликован
16.10.2024 11:26
Описание
Описание инновационной разработки (технологии):
Область применения и назначение. Сенсоры изготовлены из монокристаллического сапфира и предназначены для регистрации интенсивных пучков ионизирующего излучения. Сенсоры могут быть использованы при создании систем контроля параметров пучков высокоэнергетических электронов, протонов и ионов, используемых в целях радиационной модификации и обработки материалов,а также при лучевой терапии злокачественных новообразований в медицине.
Технические параметры:
• Радиационная стойкость, не менее, MРад 10
• Время отклика, нс 5
• Рабочее напряжение, В 300–1000
• Плотность темнового тока, нА/см2
, не более 1
• Минимальный шаг пикселей, мкм 50
• Толщина активного слоя, мкм 100–500
Преимущества по сравнению с аналогами:
Более высокая радиационная стойкость по сравнению с кремниевыми и арсенид галлиевыми сенсорами. Возможность работы при высоких температурах без дополнительного охлаждения.
Потенциальные потребители:
Компании, занимающиеся разработкой и производством современных приборов для регистрации и визуализации ионизирующего излучения.
Предложения по сотрудничеству:
Поставка продукции, заключение лицензионных договоров на передачу технологии, разработка детектора для визуализации ионизирующего излучения с использованием многоэлементных сенсоров на основе монокристаллического сапфира.
Область применения и назначение. Сенсоры изготовлены из монокристаллического сапфира и предназначены для регистрации интенсивных пучков ионизирующего излучения. Сенсоры могут быть использованы при создании систем контроля параметров пучков высокоэнергетических электронов, протонов и ионов, используемых в целях радиационной модификации и обработки материалов,а также при лучевой терапии злокачественных новообразований в медицине.
Технические параметры:
• Радиационная стойкость, не менее, MРад 10
• Время отклика, нс 5
• Рабочее напряжение, В 300–1000
• Плотность темнового тока, нА/см2
, не более 1
• Минимальный шаг пикселей, мкм 50
• Толщина активного слоя, мкм 100–500
Преимущества по сравнению с аналогами:
Более высокая радиационная стойкость по сравнению с кремниевыми и арсенид галлиевыми сенсорами. Возможность работы при высоких температурах без дополнительного охлаждения.
Потенциальные потребители:
Компании, занимающиеся разработкой и производством современных приборов для регистрации и визуализации ионизирующего излучения.
Предложения по сотрудничеству:
Поставка продукции, заключение лицензионных договоров на передачу технологии, разработка детектора для визуализации ионизирующего излучения с использованием многоэлементных сенсоров на основе монокристаллического сапфира.
Что уже сделано?
Уровень готовности технологии - TRL 1.Проводится экспериментальное исследование основных характеристик сенсоров с использованием синхротронного рентгеновского излучения на пучках ВЭПП-3 и ВЭПП-4 Института ядерной физики Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН)
Медиафайлы
